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BAE系統公司致力于研發世界一流的微電子技術
2019-10-10


[據防務宇航網2019108日報道] BAE系統公司正在進行一項研究工作,目的是將美國空軍開發的短柵氮化鎵(GaN)半導體技術轉變為其開放式代工服務。



目前,BAE系統公司已經成功完成了第一階段的工作,將美國空軍開發的短柵氮化鎵(GaN)半導體技術轉移到旗下先進微波產品(AMP)中心;同時BAE系統公司也與美國空軍研究實驗室簽署了第二階段的研究協議。



GaN半導體技術基于晶圓的規模,可以集成到各種系統中,并憑借其緊湊的形式為新一代雷達、電子戰和通信提供高效率和寬頻帶能力方面的技術支持。



而在該研發項目的第二階段中,BAE系統公司的首發研究團隊將與AMP中心合作進一步推進該技術的準備工作。工作詳情便是需要將140納米GaN單片微波集成電路(MMIC)上的技術應用到6英寸的晶圓上,那么如何判斷制造水平是否成功提高,主要考量的方面有優化性能、確保工藝穩定性、晶圓之間均勻性的最大化和晶圓產量。



ENGIN-IC是一家可定制化微波集成電路設計公司,提供專業設計,甚至設計工具包的定制及驗證服務。一旦BAE研發項目的第二階段成功實現,那么原技術產品將轉變為開放式鑄造服務產品。也就是說,在這一階段,這項技術可以在不同的政府之間得到更廣泛的應用。



BAE系統快速實驗室無線電頻率、電子戰和先進電子產品流水線領域的研究主管克里斯拉帕(Chris Rappa)表示:“我們旗下的代工供應商一直是國防行業值得信賴的合作伙伴,因為它在設計、制造和實施短門GaN等關鍵技術領域是非常專業的。



“GaN技術極大地滿足了國防部對高性能低成本技術的獨特需求,第二階段的工作將使我們向成功制造和將空軍研究實驗室的技術推向市場的這個目標又邁進了一步。



BAE系統公司(位于新罕布什爾州納舒厄的7萬平方英尺微電子中心)正在研究和推進包括GaN技術在內的世界級微電子技術走向成熟。自2008年以來,微電子中心(MEC)一直是美國國防部1A級可信任供應商,并為關鍵的國防部項目批量生產集成電路。(工業和信息化部電子第一研究所  張俊杰)



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