据美国简氏网站2019年10月9日报道，美国空军研究实验室正在与BAE系统公?#31350;?#23637;合作开展新半导体计划，共同开发下一代短栅氮化镓（GaN）半导体?#38469;酰?#35813;?#38469;?#23545;雷达、通信、电子战等武器装备的性能提升至关重要。该?#38469;?#30740;发目前处于第二阶段，旨在将140纳米氮化镓单片微波集成电路工艺扩展至6英寸（直径15厘米）晶圆上，并提高制造成熟度和稳定性，包括器件性能的优化、保证晶圆的?#35745;仿实取?#26412;阶段结束后，这项?#38469;?#23558;被广泛应用到工业制造各个领域。BAE Systems已成功完成第一阶段的工作，将美国空军开发的短栅氮化镓（GaN）半导体?#38469;?#36807;渡到我们的先进微波产品（AMP）中心。

GaN半导体?#38469;?#20197;晶片的形式出现，以紧凑的形式提供了高效率和宽频带宽功能，可以集成到各种系统中，以实现下一代雷达，电子战和通信。

BAE系统公司射频、电子战和高级产品线总监Chris Rappa说道。“我们的铸造厂是国防界值得信赖的合作伙伴，因为它致力于短栅氮化镓等重要?#38469;?#30340;设计，创建和实施”，“ GaN?#38469;?#28385;足了国防部对?#32479;?#26412;，高性能放大器?#38469;?#30340;独特需求，第二阶段的努力使我们离成功制造AFRL?#38469;?#24182;将其推向市场更近了一步。”

BAE Systems正在位于新罕?#38469;?#23572;州纳舒厄的我们70,000平方英尺的微电子中心（MEC）中研究和发展包括GaN在内的世界一流的微电子?#38469;酢?#33258;2008年以来，MEC一直是美国国防部（DoD）认可的可信供应商，并为关键的国防部计划量产集成电路。（中国电科发展战略研究中心  王龙奇）